特許
J-GLOBAL ID：200903046227796281
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-193543
公開番号（公開出願番号）：特開平9-045907
出願日： 1995年07月28日
公開日（公表日）： 1997年02月14日
要約：
【要約】【課題】ソース・ドレイン拡散層を浅く形成し、ゲート電極への不純物の導入を行う工程が複雑である。【解決手段】素子分離層1Aとウェル領域1Bを形成後、ゲート酸化膜3と多結晶シリコンからなるゲート電極4と、ゲート電極上の酸化膜5を形成する。その後、窒化膜からなるサイドウォール6Aを形成したのち、酸化膜5を除去する。不純物を導入した選択シリコン成長を800°C以下で行い、ソース・ドレイン領域にせり上げられたソース・ドレイン層7をそしてゲート電極4上に多結晶シリコン層9を形成する。次で熱処理によりソース・ドレイン拡散層10を形成すると同時に、ゲート電極4中にも不純物を拡散させゲート電極全体に導電性を与える。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上に薄い酸化膜と多結晶シリコン膜と厚い酸化膜とを順次形成したのちパターニングし、ゲート酸化膜とゲート電極とゲート電極を覆う酸化膜とを形成する工程と、全面に窒化膜を形成したのちエッチバックし前記ゲート電極の側面にゲート電極より高いサイドウォールを形成する工程と、前記ゲート電極を覆う前記酸化膜を除去したのち不純物を含むシリコン膜を堆積し前記シリコン基板上のソース・ドレイン領域にせり上げられたソース・ドレイン層を形成すると共に前記ゲート電極上に多結晶シリコン層を形成する工程と、熱処理を行ない前記ソース・ドレイン層より不純物を拡散させ前記シリコン基板にソース・ドレイン拡散層を形成すると同時に前記多結晶シリコン層より不純物を拡散し前記ゲート電極に導電性を与える工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 P
