イメージセンサ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森下賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-294273
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158930
出願日： 2008年11月18日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

【課題】イメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】実施の形態によるイメージセンサは、基板にトランジスタを含んで形成された回路(circuitry)と、前記トランジスタの一側に形成された電気接合領域と、前記電気接合領域上に形成された高濃度第1導電型領域と、前記回路上側に形成されたフォトダイオードと、を含むことを特徴とする。これにより、回路(circuitry)とフォトダイオードの垂直型集積を実現することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板にトランジスタを含んで形成される回路(circuitry)と、前記トランジスタの一側に形成される電気接合領域と、前記電気接合領域上に形成される高濃度第1導電型領域と、前記回路上側に形成されるフォトダイオードと、を含むことを特徴とするイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 31/10 , H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 E , H01L31/10 A , H04N5/335 U

Fターム (33件)：

4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA07 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118CA05 , 4M118CB05 , 4M118CB06 , 4M118CB14 , 4M118DD04 , 4M118DD12 , 4M118EA01 , 4M118FA06 , 4M118FA25 , 4M118FA33 , 5C024CX41 , 5C024CY47 , 5C024GX03 , 5C024GY31 , 5F049MA04 , 5F049MB03 , 5F049MB05 , 5F049NA01 , 5F049NA05 , 5F049NA20 , 5F049NB03 , 5F049PA05 , 5F049QA03 , 5F049RA06 , 5F049RA10 , 5F049SE02 , 5F049SE04 , 5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平4-240771
特開平3-270177
特開昭53-178769

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