燐ドープシリコン膜生成方法及びその反応炉

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-204649
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045529
出願日： 1993年07月27日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】燐ドープシリコン膜生成に於いて、燐ドープシリコン膜生成反応炉内での位置の相違により、ウェーハ間での膜中の燐濃度、抵抗率の相違が生ずるのを防止する。【構成】反応室上流側よりシランガス及びフォスフィンガスを供給し、下流側よりフォスフィンガスを供給し、下流に向かう程フォスフィンガスが消費され燐濃度が低下するのを補い、燐濃度を均一にする。

請求項（抜粋）：