半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337687
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201858
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】多層配線で層間膜のグローバル段差を低減するためのダミー酸化膜形成をフォト・リソグラフィー工程なしで行なう。【構成】アルミ配線6の上面と側面をシリコン窒化膜4a,4bで覆い、酸化膜7形成後、ポリイミド8塗布,エッチバックにより、ダミー酸化膜が残る部分にポリイミドをセルフアラインで残し、ポリイミド・マスクで酸化膜を湿式エッチングする。その後、酸素プラズマ処理でポリイミドを除去して、ダミー酸化膜の形成が完了する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面上に、上面が第1の絶縁膜で覆われた配線層を所定の間隔で形成する工程と、前記配線層の側面を第2の絶縁膜で覆う工程と、表面に一様に第3の絶縁膜を形成する工程と、この表面に有機材を塗布した後エッチングハックして、前記第3の絶縁膜のうち高い部分を露出させる工程と、エッチングバックされた前記有機材をマスクとして前記第3の絶縁膜を等方的にエッチングする工程と前記有機材を除去して第4の絶縁膜を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 21/318 , H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/302 L , H01L 21/306 D , H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

表面平坦化法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-236963 出願人：ヤマハ株式会社
特開昭61-119058

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