半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-340282
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189588
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】多層配線工程における層間絶縁膜形成において、ベース絶縁膜(第一の層間絶縁膜)としてプラズマSiN膜を適用する場合、プラズマSiN膜自体が満足すべき水分に対するブロック特性を有していないことによるホットキャリア信頼性劣化と、プラズマSiN膜が下層アルミニウム配線のストレスマイグレーションを引き起こす事による配線寿命劣化という極めて重大な問題点があり、上記2つの問題を同時に回避する事が極めて困難であった。本発明では、従来トレードオフの関係にあったホットキャリア信頼性劣化やストレスマイグレーション耐性劣化の問題を同時に回避できる新規なベース絶縁膜構造及びその形成方法を提供する事を目的としている。【解決手段】半導体基板上に形成された素子や配線を被膜するベース絶縁膜(第一の層間絶縁膜)としてプラズマSiNを適用する場合に、水素濃度が1.5E22cm-3以上、圧縮性ストレスが175MPa以上300MPa以下であるプラズマSiN膜を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記基板上に設けられた水素濃度が1.5E22cm-3以上の窒化シリコン膜と、前記窒化シリコン膜上に設けられた絶縁膜とを備えた事を特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/318 , H01L 21/31 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/318 M , H01L 21/31 C , H01L 21/90 M

引用特許：

審査官引用 (1件)

絶縁膜の成膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-266787 出願人：ソニー株式会社

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