特許

J-GLOBAL ID：200903046243847066

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 千代 敏明 ,  柴田 直樹
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-189391
公開番号（公開出願番号）：特開2002-008998
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：

【要約】【課題】 基板のクリーニングから素子機能を有するIII族窒化物系化合物半導体層の成長までの工程に要する時間を短縮できるIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】 サファイア製基板の上に、その表面がテクスチャー構造であるAlN層を形成し、続いて、前記AlN層の上に成長抑止材料層を該AlN層が一部露出するように形成する。その後、横方向成長法を実行して前記AlN層及び前記成長抑止材料層の上にIII族窒化物系化合物半導体層を成長させてIII族窒化物系化合物半導体素子を製造する。

請求項（抜粋）：

基板の上に、その表面がテクスチャー構造である下地層を形成するステップ、前記下地層の上に、成長抑止材料層を該下地層が一部露出するように形成するステップ、及び、横方向成長法を実行して前記下地層及び前記成長抑止材料層の上にIII族窒化物系化合物半導体層を成長させるステップ、を含むことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/316 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 Z ,  H01L 21/316 B ,  H01L 33/00 C

Fターム (37件)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA84 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB15 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD15 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF14 ,  5F045DA53 ,  5F045HA04 ,  5F058BA06 ,  5F058BA09 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH11 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 動圧軸受
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-259077   出願人：光洋精工株式会社
• 半導体基材及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-336421   出願人：三菱電線工業株式会社
• III-V族化合物半導体膜とその成長方法、GaN系半導体膜とその形成方法、GaN系半導体積層構造とその形成方法、GaN系半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-062760   出願人：日本電気株式会社
• 窒化物化合物半導体層の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-240343   出願人：昭和電工株式会社