特許

J-GLOBAL ID：200903046252318793

導電性膜形成用組成物、導電性膜およびその形成法

発明者： 横山 泰明 ,  松木 安生 ,  迫野 郁夫 ,  小林 和樹 ,  竹内 安正
出願人/特許権者： JSR株式会社 ,  シャープ株式会社 ,  株式会社国際基盤材料研究所
代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-211236
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006197
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】多くの電子デバイスに好適に使用できる配線や電極を容易かつ安価に形成しうる導電性膜形成用組成物、それを用いた膜の形成方法、その形成方法により形成される導電性膜、ならびにその膜からなる配線または電極を提供すること。【解決手段】アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体と有機溶媒を含有する導電性膜形成用組成物およびそれを基板に塗布し、熱処理および/または光照射して導電性膜例えば電極、配線を製造する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

アミン化合物と水素化アルミニウムとの錯体および有機溶媒を含有することを特徴とする導電性膜形成用組成物。

IPC (9件)：

H01B5/14 ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/14 ,  H01B13/00 ,  H01J9/02 ,  H01L21/288 ,  H05K3/10 ,  H05K3/24

FI (10件)：

H01B5/14 Z ,  C23C18/08 ,  C23C18/10 ,  C23C18/14 ,  H01B13/00 503D ,  H01B13/00 503Z ,  H01J9/02 R ,  H01L21/288 Z ,  H05K3/10 C ,  H05K3/24 Z

Fターム (41件)：

4K022AA01 ,  4K022AA02 ,  4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA13 ,  4K022AA41 ,  4K022AA43 ,  4K022BA02 ,  4K022BA18 ,  4K022BA22 ,  4K022BA35 ,  4K022BA36 ,  4K022CA08 ,  4K022DA06 ,  4K022DA08 ,  4K022DB01 ,  4K022DB11 ,  4K022DB24 ,  4K022DB30 ,  4M104BB02 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104DD51 ,  4M104HH14 ,  5C027BB01 ,  5E343AA02 ,  5E343BB06 ,  5E343BB16 ,  5E343BB17 ,  5E343BB28 ,  5E343BB35 ,  5E343BB48 ,  5E343BB71 ,  5E343DD01 ,  5E343DD69 ,  5E343ER35 ,  5E343ER45 ,  5E343GG11 ,  5G307GA08 ,  5G323AA03 ,  5G323CA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 薄膜の形成方法および形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-276266   出願人：日本電気株式会社
• 金属パターンの形成方法及び金属配線パターンを有する半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118120   出願人：ソニー株式会社