特許
J-GLOBAL ID：200903046269858767

半導体光増幅器

発明者：
山田 敦史

山田 敦史 について

, 
吉田谷 弘明

吉田谷 弘明 について


出願人/特許権者：
アンリツ株式会社

アンリツ株式会社 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-041230
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253543
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：
【課題】利得を一定値にクランプする目的で生成された一定波長λ0で発振する光34が出射端面から出射することを防止する。【解決手段】半導体基板21と、この半導体基板の上方に形成された活性層22と、半導体基板の上方でかつ活性層の側方に形成された埋込層23、24と、活性層の上方に形成されたクラッド層25bとを備え、両端面30a、30bに無反射コート39a、39bが施され、一方の端面30aから入射した光32が、光の伝搬方向に沿って形成された活性層を含む光導波路を伝搬する過程で増幅されて、他方の端面30bから出射する半導体光増幅器において、活性層22の側方位置でかつ光の伝搬方向に直交する方向に、一定波長λ0で光34を発振させるための回折格子29を形成する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
半導体基板(21)と、この半導体基板の上方に形成された活性層(22)と、前記半導体基板の上方でかつ前記活性層の側方に形成された埋込層(23、24)と、前記活性層の上方に形成されたクラッド層(25b)とを備え、両端面(30a、30b)に無反射コート(39a、39b)が施され、一方の端面(30a)から入射した光が、光の伝搬方向に沿って形成された前記活性層を含む光導波路を伝搬する過程で増幅されて、他方の端面(30b)から出射する半導体光増幅器において、 前記活性層の側方位置でかつ前記光の伝搬方向に直交する方向に、一定波長(λ0)で光(34)を発振させるための回折格子(29)を形成したことを特徴とする半導体光増幅器。
IPC (1件)：
H01S5/50
FI (1件)：
H01S5/50 610
Fターム (11件)：
5F073AA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA63 ,  5F073AA83 ,  5F073AA87 ,  5F073AA89 ,  5F073BA03 ,  5F073CA12 ,  5F073CB02 ,  5F073CB10 ,  5F073EA15
引用特許：
審査官引用 (4件)
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