特許
J-GLOBAL ID：200903000650253421

半導体光増幅素子

発明者：
北村 昌太郎

北村 昌太郎 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-201830
公開番号（公開出願番号）：特開平11-046044
出願日： 1997年07月28日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 30dB程度の高利得においてもリップルを十分抑制でき、光結合損失の増加を最小限に抑え、かつ素子端面の反射率を十分に下げる。【解決手段】 光導波路型の活性層12を有し、素子端面14近くで光導波路が途切れて窓領域15が設けられており、出力光の放射角が半値全幅l5度以下となるように光導波路の一部がテーパ状導波路16となっており、かつ素子端面14の法線と光導波路の長手方向とが6度以上の角度をなす。また、窓領域15の長さが50μm以上80μm以下のときは、素子端面14の法線と光導波路の長手方向とが5度以上であればよい。
請求項（抜粋）：
光導波路型の活性層を有し、素子端面近くで該光導波路が途切れて窓領域が設けられている半導体光増幅素子において、出力光の放射角が半値全幅l5度以下となるように該光導波路の少なくとも一部の厚さまたは幅がテーパ状に変化しており、かつ該素子端面の法線と該光導波路の長手方向とが6度以上の角度をなすことを特徴とする半導体光増幅素子。
IPC (3件)：
H01S 3/18 ,  G02B 6/12 ,  H01S 3/10
FI (3件)：
H01S 3/18 ,  H01S 3/10 Z ,  G02B 6/12 J
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM