特許
J-GLOBAL ID：200903046284244767

相変化光ディスク

発明者：
大久保 修一

大久保 修一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-298794
公開番号（公開出願番号）：特開2000-105946
出願日： 1998年01月16日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 相変化光ディスクにおけるクロス消去を抑制するとともに、書き換えの繰り返し特性を向上する。【解決手段】基板10上に、第1誘電体層11、第2誘電体層12、第3誘電体層13、記録層15、第4誘電体層14、反射層16を順に積層した構成をとる。第1誘電体層11の屈折率n1と第2誘電体層12の屈折率n2と第3誘電体層13の屈折率n3の関係がn1>n2かつn3>n2の関係を満たすようにする。非晶質部の反射率を高くして、非晶質部の吸収率を低くすることができるのでクロス消去抑制が可能となる。基板と記録層の間には光を吸収する層が無いので、基板表面付近の温度上昇が抑制され、基板の熱変形が低減されるので、繰り返し特性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に第1誘電体層、第2誘電体層、第3誘電体層、記録層、第4誘電体層、反射層を順に積層した相変化光ディスクであって、前記第2誘電体層の屈折率n2と第3誘電体層の屈折率n3とがn2<n3の関係を満たし、非晶質状態における記録層の吸収率が結晶状態における記録層の吸収率より低いことを特徴とする相変化光ディスク。
IPC (4件)：
G11B 7/24 535 ,  G11B 7/24 ,  G11B 7/24 533 ,  G11B 7/24 538
FI (5件)：
G11B 7/24 535 H ,  G11B 7/24 535 A ,  G11B 7/24 533 L ,  G11B 7/24 538 E ,  G11B 7/24 538 F
引用特許：
審査官引用 (6件)
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