特許
J-GLOBAL ID：200903046294461740
薄膜チップインダクタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-072113
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283060
出願日： 1994年04月11日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】 短い時間で薄膜チップインダクタを製造すること。【構成】 まず、絶縁基板(1)の主面上に複数個のインダクタ導体層(4,8)を所定間隔で薄膜技術により形成する。絶縁基板(1)の裏面にダミー基板(13)を張り付けた状態で、複数個のインダクタ導体層の端面の電極となる前記絶縁基板部分にスリット(14)加工を施す。スリット加工を施した部分にメッキ層(15)を形成する。複数個のインダクタ導体層が個々のインダクタ導体層に分離されるように、絶縁基板を切断して、複数個のチップインダクタを得る。リフトオフ法によって各チップインダクタのメッキ層から不要部分を取り除いて下地電極(16)を形成する。各チップインダクタの下地電極上に上地電極(17)を形成する。各チップインダクタの上地電極上に薄膜チップインダクタの電極(18)を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板の主面上に複数個のインダクタ導体層を所定間隔で薄膜技術により形成し、前記絶縁基板の裏面にダミー基板を張り付けた状態で、前記複数個のインダクタ導体層の端面の電極となる前記絶縁基板部分にスリット加工を施し、該スリット加工を施した部分にメッキ層を形成し、前記複数個のインダクタ導体層が個々のインダクタ導体層に分離されるように、前記絶縁基板を切断して、複数個のチップインダクタを得、リフトオフ法によって各チップインダクタの前記メッキ層から不要部分を取り除いて下地電極を形成し、各チップインダクタの前記下地電極上に上地電極を形成する工程を含むことを特徴とする薄膜チップインダクタの製造方法。
引用特許：
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