特許
J-GLOBAL ID：200903046301900681
アリールカーボネートの連続的製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小田島 平吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-131647
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053564
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：
【要約】【課題】 ジアリルカーボネートの連続的な工業的製造方法を提供する。【解決手段】 図1に記載のような構成に従って、不均一系触媒の存在下に気相で芳香族ヒドロキシ化合物をホスゲン化する。
請求項（抜粋）：
不均一系触媒の存在下にホスゲンを芳香族ヒドロキシ化合物と反応させることによるジアリールカーボネートの連続的製造方法であって、1)一方では、随時不活性ガス又は不活性溶媒の蒸気で希釈されていてもよい芳香族ヒドロキシ化合物と場合によりそのクロルギ酸エステルの180°C〜500°Cに加熱されたガス状混合物と、他方では、20°C〜500°Cに加熱されたホスゲンとを、不均一系触媒を充填され且つ180°C〜500°Cに加熱された、可動部品を持たない円筒形反応室に導入し、そして該反応室内で反応させ、その際反応温度は反応混合物の入り口温度より多くても150°C上昇し、2)反応器を去るガス混合物を一部凝縮させ、廃ガスを、随時いくらかのクロルギ酸エステルを含有している芳香族ヒドロキシ化合物のガス状流又は溶融流と共に、不均一系触媒を充填された追加の廃ガス反応器に導入し、そして該廃ガス反応器において、ホスゲン及び随時クロルギ酸エステルが廃ガス流から除去されるような方式で反応させ、3)反応器を去る脱ガスされた反応生成物を、処理のために直接送るか又は第2反応器に導入し、第2反応器において、残存しているクロルギ酸エステルを、不均一系触媒上で、まだ存在しているか又は導入された芳香族ヒドロキシ化合物と更に反応させてジアリールカーボネートを生成させ、4)第2反応器を去る生成物を再び脱ガスし、そしてこの廃ガスを、溶融した又はガス状芳香族ヒドロキシ化合物と一緒に、2)で述べた廃ガス反応器に導入し、5)第2反応器からの脱ガスされた生成物を蒸留塔に導入し、芳香族ヒドロキシ化合物及び随時まだ存在している痕跡量のクロルギ酸エステルを、頂部生成物として留去し、そして廃ガス反応器又は第1反応器に再導入し、6)この第1塔の底部生成物を第2蒸留塔に導入し、第2蒸留塔において、随時まだ存在している痕跡量の低沸点成分を、頂部生成物としてジアリールカーボネートから除去しそして第1塔の上部に戻し、7)ジアリールカーボネートを、随時痕跡量の低沸点成分と共に、第2塔のガス空間から排出させ、8)この生成物を第3塔に導入し、そして残存量の高沸点成分を底部生成物として分離することにより、純粋なジアリールカーボネートを塔頂生成物として得、9)第2塔と第3塔からの一緒になった底部生成物を第4蒸留装置に送り、ジアリールカーボネートを頂部生成物として留去して第2塔に戻し、そして高沸点成分を第4蒸留装置の底部から取り出す、ことを特徴とする方法。
IPC (4件)：
C07C 69/96
, B01J 21/04
, C07C 68/02
, C07B 61/00 300
C07C 69/96 Z
, B01J 21/04 Z
, C07C 68/02 A
, C07B 61/00 300
