特許
J-GLOBAL ID：200903046302564111

基板電圧を所望の値に維持するための回路及び方法

発明者：
ジェイムズ・ゴレッキ

ジェイムズ・ゴレッキ について

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ラビンダー・ラル

ラビンダー・ラル について

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ロバート・ビー・レファーツ

ロバート・ビー・レファーツ について


出願人/特許権者：
ラティス・セミコンダクター・コーポレイション

ラティス・セミコンダクター・コーポレイション について


代理人 (1件)： 大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-084621
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051266
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】【課題】 半導体回路の基板電圧を所望のレベルに維持するための改善された回路及び方法を提供すること【解決手段】 本発明によると、オシレータ、容量性チャージポンプ、コンパレータ、及びレベルシフタを含むシステムが提供される。レベルシフタは、基板とコンパレータの正入力リードとの間に接続され、基板電圧をVbgだけシフトする。コンパレータはシフトされた基板電圧をグランド電位と比較する。オシレータ、容量性チャージポンプ、コンパレータによって形成された負帰還回路により、基板電圧は概ね-Vbgに維持される。一実施例では、レベルシフタはバンドギャップリファレンスを含む。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された回路であって、温度に比例する第1電流を供給する電流源と、前記電流源と前記基板とに接続され、前記基板の電圧からシフトされた第1電圧を供給するレベルシフタとを含むことを特徴とする回路。
IPC (3件)：
H03K 19/094 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H03K 19/094 D ,  H01L 27/04 G
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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