特許
J-GLOBAL ID：200903046307755543
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242952
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106698
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 成長時の不純物の不必要な拡散、特に活性層に及ぶ拡散をより確実に抑制して、活性層近傍の局在する不純物の位置を制御することにより高い信頼性の半導体発光素子を提供する。【構成】 半導体基体1上に少なくとも第1導電型のクラッド層2、活性層5及び第2導電型のクラッド層8を有し、少なくとも一方のクラッド層中に歪層3、7を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基体上に少なくとも第1導電型のクラッド層、活性層及び第2導電型のクラッド層が設けられ、少なくとも一方のクラッド層中に歪層が設けられて成ることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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