特許
J-GLOBAL ID:200903046321162342

電圧発生回路を有した半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-092022
公開番号(公開出願番号):特開平10-289574
出願日: 1997年04月10日
公開日(公表日): 1998年10月27日
要約:
【要約】【課題】本発明は、昇圧回路或いは基板電圧発生回路の容量の面積を小さくすることにより、チップ面積の有効利用を可能にした半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】第1のモードと第2のモードとの少なくとも2つの異なったモードで動作可能な半導体装置は、所定の電圧を発生するために出力に第1の電流量を流す能力を有し、該第1のモード及び該第2のモードで動作する第1の電圧発生回路と、該所定の電圧を発生するために出力に該第1の電流量より大きな第2の電流量を流す能力を有し、該第2のモードでのみ動作する第2の電圧発生回路を含み、該第1の電圧発生回路の該第1の電流量を該第1のモードの場合よりも該第2のモードの場合に増加させることを特徴とする。
請求項(抜粋):
第1のモードと第2のモードとの少なくとも2つの異なったモードで動作可能な半導体装置であって、所定の電圧を発生するために出力に第1の電流量を流す能力を有し、該第1のモード及び該第2のモードで動作する第1の電圧発生回路と、該所定の電圧を発生するために出力に該第1の電流量より大きな第2の電流量を流す能力を有し、該第2のモードでのみ動作する第2の電圧発生回路を含み、該第1の電圧発生回路の該第1の電流量を該第1のモードの場合よりも該第2のモードの場合に増加させることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件):
G11C 11/407 ,  G11C 11/413 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H02M 3/07
FI (4件):
G11C 11/34 354 F ,  H02M 3/07 ,  G11C 11/34 335 A ,  H01L 27/04 G
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 半導体集積回路
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-204885   出願人:松下電器産業株式会社
  • 特開昭61-237295
  • 特開昭60-047295

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