半導体集積回路

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-204885
公開番号（公開出願番号）：特開平8-069690
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：

【要約】【目的】待機時の消費電流を増やさずに動作時のリーク電流を補償する電源電圧発生回路を実現する。【構成】動作時用電源電圧発生回路301には、動作時、待機時に応じてレベルが変化する制御信号が入力されており、制御信号のレベル変化に対応して電源電圧を発生する。動作時、待機時にかかわらず、電源電圧がレベル検知回路304の検知レベルより降下すると、発振回路305が発振する。待機時用電源電圧発生回路303は発振回路305の出力のみで制御されており、補助電源電圧発生回路302は、制御信号によって動作時だけ、発振回路305が出力する発振信号で駆動される。動作時の電源リーク電流を補うに十分な電流供給能力を補助電源電圧発生回路302に持たせれば、待機時用電源電圧発生回路303には、待機時の電源リーク電流を補償する必要最小限の電流供給能力があればよい。

請求項（抜粋）：

外部から与える電源電圧とは異なる第1の電源電圧を動作時に発生する第1の電源電圧発生回路と、前記第1の電源電圧を検知して前記第1の電源電圧が検知レベルよりも低下した際に電圧を発生する第2の電源電圧発生回路と、動作時のみに前記第1の電源電圧を検知して前記第1の電源電圧が検知レベルよりも低下した際に電圧を発生する第3の電源電圧発生回路とを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

G11C 11/407 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F , H01L 27/10 681 F

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭62-190746
半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-053753 出願人：三菱電機株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-251607 出願人：三菱電機株式会社

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