特許

J-GLOBAL ID：200903046322222519

太陽電池及びその製造方法

発明者： 高本 達也 ,  栗田 博 ,  安居院 高明 ,  池田 英治
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120568
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312017
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】 安価かつ高変換効率の太陽電池を提供する【解決手段】 ゲルマニウム(Ge)基板21と、このゲルマニウム基板21上に形成されたバッファ層22,23と、このバッファ層22,23の上に形成された第1導電型の第1のInxGa1-xAs層25と、この第1のInxGa1-xAs層25上にpn接合を構成すべく形成された第2導電型の第2のInxGa1-xAs層26とから少なくともなり、第1及び第2のInxGa1-xAs層中のInの組成xが、0.005≦x≦0.015の範囲の値である太陽電池である。

請求項（抜粋）：

ゲルマニウム基板と、該ゲルマニウム基板上に形成されたバッファ層と、該バッファ層の上に形成された第1導電型の第1のInxGa1-xAs層と、該第1のInxGa1-xAs層上にpn接合を構成すべく形成された第2導電型の第2のInxGa1-xAs層とから少なくともなり、前記第1及び第2のInxGa1-xAs層中のInの組成xが、0.005≦x≦0.015の範囲の値であることを特徴とする太陽電池。

Fターム (8件)：

5F051AA01 ,  5F051AA08 ,  5F051BA02 ,  5F051BA11 ,  5F051CB18 ,  5F051CB29 ,  5F051DA15 ,  5F051DA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-020833   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-137768
  
• 特開昭58-127386
  
• 特開昭58-119676
  
• 特開昭56-112764