特許
J-GLOBAL ID:200903046329351187
高熱膨張ガラスセラミック焼結体およびその製造方法、配線基板ならびにその実装構造
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-024424
公開番号(公開出願番号):特開2000-223619
出願日: 1999年02月01日
公開日(公表日): 2000年08月11日
要約:
【要約】【構成】BaOを含有するガラスを用いた低温焼成基板の耐薬品性およびメタライズ配線層の密着強度を改善し、且つ高熱膨張を有し、有機樹脂を含有する外部回路基板に対して強固に且つ長期にわたり安定した接続状態を維持できる、高信頼性の配線基板および半導体素子収納用パッケージを提供する。【解決手段】絶縁基板1の表面あるいは内部にメタライズ配線層3が配設されたパッケージなどの配線基板において、絶縁基板1をBaOを5〜60重量%含有するガラスと、40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物を含むフィラーからなり、全量中にZrO2 などのZr化合物をZrO2換算で0.1〜30重量%の割合で含む40°C〜400°Cにおける熱膨張係数が8.5〜18ppm/°Cの焼結体によって構成する。
請求項(抜粋):
BaOを5〜60重量%含有するガラスと、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が6ppm/°C以上の金属酸化物粒子を含むフィラーとからなり、前記ガラスおよび/またはフィラー中にZr化合物をZrO2 換算で0.1〜30重量%の割合で含有するとともに、40°C〜400°Cにおける線熱膨張係数が8.5〜18ppm/°Cであることを特徴とする高熱膨張ガラスセラミック焼結体。
IPC (4件):
H01L 23/15
, C03C 14/00
, H01L 23/08
, H01L 23/12
FI (4件):
H01L 23/14 C
, C03C 14/00
, H01L 23/08 C
, H01L 23/12 L
Fターム (79件):
4G062AA09
, 4G062AA11
, 4G062AA15
, 4G062BB01
, 4G062CC01
, 4G062DA05
, 4G062DA06
, 4G062DB03
, 4G062DB04
, 4G062DC03
, 4G062DD01
, 4G062DE01
, 4G062DF01
, 4G062EA01
, 4G062EB01
, 4G062EC01
, 4G062ED01
, 4G062ED02
, 4G062ED03
, 4G062EE03
, 4G062EE04
, 4G062EF01
, 4G062EF02
, 4G062EF03
, 4G062EF04
, 4G062EG03
, 4G062EG04
, 4G062EG05
, 4G062EG06
, 4G062FA01
, 4G062FA10
, 4G062FB01
, 4G062FB02
, 4G062FB03
, 4G062FC01
, 4G062FC02
, 4G062FC03
, 4G062FD01
, 4G062FE01
, 4G062FF01
, 4G062FG01
, 4G062FH01
, 4G062FJ01
, 4G062FK01
, 4G062FL01
, 4G062GA01
, 4G062GA10
, 4G062GB01
, 4G062GC01
, 4G062GD01
, 4G062GE01
, 4G062HH01
, 4G062HH03
, 4G062HH05
, 4G062HH07
, 4G062HH09
, 4G062HH11
, 4G062HH13
, 4G062HH15
, 4G062HH17
, 4G062HH20
, 4G062JJ01
, 4G062JJ03
, 4G062JJ05
, 4G062JJ07
, 4G062JJ10
, 4G062KK01
, 4G062KK03
, 4G062KK05
, 4G062KK07
, 4G062KK10
, 4G062MM28
, 4G062NN30
, 4G062NN34
, 4G062PP01
, 4G062PP02
, 4G062PP05
, 4G062PP06
, 4G062PP09
引用特許: