特許
J-GLOBAL ID:200903046332607656

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 西川 惠清 ,  森 厚夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-218838
公開番号(公開出願番号):特開2004-057913
出願日: 2002年07月26日
公開日(公表日): 2004年02月26日
要約:
【課題】薄い被処理物であっても均一なプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】対向配置された電極1、2の間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に上記電極1、2間に電圧を印加することによってプラズマを生成する。上記電極1、2の間に被処理物3を配置することによって被処理物3をプラズマで処理するようにしたプラズマ処理装置に関する。一方の電極1をガス流路4内に設けると共にガス流路4の他方の電極2と対向する面に誘電体で形成された多数の微細孔を有する吸着プレート6を設ける。微細孔およびガス流路4を通じて被処理物3を吸引して吸着プレート6表面に吸着させるための吸引手段7を備える。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
対向配置された電極の間にプラズマ生成用ガスを供給すると共に上記電極間に電圧を印加することによってプラズマを生成し、上記電極の間に被処理物を配置することによって被処理物をプラズマで処理するようにしたプラズマ処理装置において、一方の電極をガス流路内に設けると共にガス流路の他方の電極と対向する面に誘電体で形成された多数の微細孔を有する吸着プレートを設け、微細孔およびガス流路を通じて被処理物を吸引して吸着プレート表面に吸着させるための吸引手段を備えて成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件):
B08B7/00 ,  G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  H05K3/26
FI (4件):
B08B7/00 ,  G02F1/13 101 ,  G02F1/1333 500 ,  H05K3/26 A
Fターム (20件):
2H088FA18 ,  2H088FA21 ,  2H088FA30 ,  2H088MA20 ,  2H090JB02 ,  2H090JC09 ,  2H090JC19 ,  2H090JD01 ,  3B116AA02 ,  3B116AB01 ,  3B116AB47 ,  3B116BB89 ,  3B116BC01 ,  3B116CD11 ,  5E343AA26 ,  5E343EE08 ,  5E343EE36 ,  5E343EE46 ,  5E343FF23 ,  5E343GG11
引用特許:
審査官引用 (5件)
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