特許

J-GLOBAL ID：200903046374184968

ドープされた窒化アルミニウム結晶及びそれを製造する方法

発明者： ショウォルター,レオ,ジェイ ,  スラック,グレン,エー
出願人/特許権者： クリスタル・イズ,インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-543541
公開番号（公開出願番号）：特表2009-518263
出願日： 2006年12月04日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

高い導電率及び移動度を有するドープされたAlN結晶及び/又はAlGaNエピタキシャル層の製造を、例えば、複数の不純物種を含む混晶を形成し、この結晶の少なくとも一部を電気的に活性化させることによって達成する。

請求項（抜粋）：

ドープされたAlN結晶を形成する方法であって、 a.AlN及び複数の不純物種を含む混晶を形成し、 b.前記混晶の少なくとも一部中で少なくとも1つの不純物種を電気的に活性化し、ドープされたAlN結晶を形成する ステップを含む、方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

C30B29/38 C ,  C30B33/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 C

Fターム (25件)：

4G077AA02 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE13 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077EB01 ,  4G077FA08 ,  4G077FE05 ,  4G077FE10 ,  4G077FE11 ,  4G077FG11 ,  4G077FH01 ,  4G077FJ06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12 ,  5F045AA03 ,  5F045AB17 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA57

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低抵抗n型および低抵抗p型単結晶AlN薄膜の合成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-208612   出願人：科学技術振興事業団