特許

J-GLOBAL ID：200903046380154132

半導体装置及びその製造方法

発明者： 冨原 誠一
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ ,  株式会社ルネサス北日本セミコンダクタ
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-134969
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317814
出願日： 2004年04月30日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：

【課題】 MAPによる半導体装置のスタンドオフ高さを確保する。【解決手段】 半導体チップと、この半導体チップの周囲に配置され封止体下面から露出して半導体装置の外部端子となるリードとを電気的に接続した半導体装置において、前記封止体の外縁部に、前記リードの列の幅に合わせた幅で、リードの外端部の上面を露出させる深さの凹部を設ける。その製造方法において、前記リードの組が形成された装置領域が縦横に複数組形成されたリードフレームを用い、このリードフレームに半導体チップを実装し、リードフレームの装置領域間に位置し、リードの列の幅に合わせた長さで、ダイシング領域よりも幅が広く、リードの外端部の上面に接触するクランプ部を設けた金型に、半導体チップを実装したリードフレームを収容し、封止樹脂を注入して封止体を形成し、前記リード及び封止体を切断し、個々の半導体装置に個片化する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

半導体チップと、この半導体チップの周囲に配置され封止体下面から露出して半導体装置の外部端子となるリードとを電気的に接続した半導体装置において、 前記封止体の外縁部に、前記リードの列の幅に合わせた幅で、リードの外端部の上面を露出させる深さの凹部を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L23/28 ,  H01L21/56

FI (2件)：

H01L23/28 A ,  H01L21/56 T

Fターム (10件)：

4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061DA06 ,  5F061EA03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-291975   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ