非平坦性の影響を最小限にするトランジスタ金属ゲート構造および製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：桑垣衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-550282
公開番号（公開出願番号）：特表2005-512326
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：

金属ゲート構造(10)は、ゲート溝(19)内にゲート誘電体(22)、ゲート電極(24)、停止層(26)および金属層(28)を堆積させ、ゲート溝(19)の外側に存在するそれらの層の部分を除去することにより形成される。第1の研摩またはエッチングプロセスを使用して、停止層(26)に選択的な金属層(28)の部分を除去する。第1の研摩またはエッチングプロセスの後、第2の研摩またはエッチングプロセスを使用して、ゲート溝(19)の外側に存在するゲート誘電体(22)、ゲート電極(24)、停止層(26)および金属層(28)の部分を除去する。その結果得られる構造は、金属ゲート構造(10)の上部表面の均一性および平坦性を増加させる。

請求項（抜粋）：

トランジスタ構造(10)であって、基板(12)に形成され、基板(12)にチャンネル領域を区画形成するよう分離された、第1の電流電極(14)および第2の電流電極(16)を備えた基板(12);および前記基板(12)のチャンネル領域を覆う制御電極スタックであって、サイドウォールスペーサー(18)により決定された横方向寸法と、制御電極溝を区画形成する高さとを有する制御電極スタック;を備え、前記制御電極スタックが、さらに、サイドウォールスペーサー(18)とチャンネル領域の上の領域とに直接隣接し、制御電極溝の第1の部分を占める制御電極誘電体(22); 制御電極誘電体(22)に直接隣接し、制御電極溝の第2の部分を占め、トランジスタ構造の閾値電圧値を決定する材料特性を有する制御電極層(24); 制御電極層(24)に直接隣接し、制御電極溝の第3の部分を占め、トランジスタ構造の製造中に積層材料の選択的層除去のために使用される停止材料を提供する導電性停止層(26); 導電性停止層(26)に直接隣接し、制御電極溝の第4の部分を占める導電層(28);および第1の部分、第2の部分、第3の部分、および第4の部分が、制御電極溝を実質的に占めること;を備えた、トランジスタ構造(10)。

IPC (4件)：

H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/49

FI (3件)：

H01L29/78 301G , H01L29/78 301P , H01L29/58 G

Fターム (56件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA05 , 4M104AA09 , 4M104BB04 , 4M104BB25 , 4M104BB27 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD64 , 4M104DD72 , 4M104DD75 , 4M104EE03 , 4M104EE14 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 5F140AA15 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA05 , 5F140BA07 , 5F140BD04 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BD11 , 5F140BD13 , 5F140BE01 , 5F140BE09 , 5F140BE10 , 5F140BF10 , 5F140BF14 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF21 , 5F140BF24 , 5F140BF25 , 5F140BF27 , 5F140BG01 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG14 , 5F140BG26 , 5F140BG27 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140CC03

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-214597 出願人：松下電子工業株式会社

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