特許
J-GLOBAL ID：200903046402673880
強誘電体素子の製造方法および強誘電体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-244289
公開番号（公開出願番号）：特開2002-057298
出願日： 2000年08月11日
公開日（公表日）： 2002年02月22日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体薄膜の配向を制御し、延いては分極反転電荷量を制御する。【解決手段】 シリコン基板4上の第1層間絶縁膜膜8上に下部電極薄膜9を形成し、その上に強誘電体薄膜10を形成する。その場合、下部電極薄膜9を450°C〜600°Cの比較的高い温度で形成する。こうすることによって、強誘電体薄膜10の配向性がランダムになり、強誘電体キャパシタ3の分極反転電荷量が24μC/cm2と大きな値になる。したがって、分極反転電荷量として強誘電体キャパシタ3に記憶された情報を引出し電極16,18間の電圧に変換して読み出す場合に、素子動作として充分なマージンを得ることができる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に8A族元素を含む材料で形成された下部電極薄膜と、上記下部電極薄膜上に形成された強誘電体薄膜を有する強誘電体素子の製造方法であって、上記下部電極薄膜の形成温度を制御することによって、上記強誘電体薄膜の配向性を制御することを特徴とする強誘電体素子の製造方法。
FI (3件)：
H01L 27/10 444 C
, H01L 27/10 444 B
, H01L 27/10 444 A
5F083AD21
, 5F083FR02
, 5F083GA30
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083PR22
, 5F083PR34
, 5F083PR39
