特許

J-GLOBAL ID：200903046416473850

太陽電池およびその製造方法、並びに多層薄膜形成方法

発明者： 進藤 晶弘 ,  小坂 大介
出願人/特許権者： 株式会社クリスタルデバイス
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-310981
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240531
出願日： 1994年12月14日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 安価で変換効率の高い太陽電池を得る。【構成】 ガラス製透明基板251に透明電導膜252を形成し、その上にアモルファス状に形成すると同時に指向性の高いNe原子流を各半導体層212,214に照射することによって、各入射方向に垂直に最稠密面が配向するよう単結晶化してp型の第1の半導体層253を形成する。この際、第1の半導体層253を可及的に薄く形成し、光透過性を上げる。その上にアモルファス系の真性半導体層255を形成し、さらにアモルファス系または結晶系のn型の第2の半導体層254を形成する。主に長波長光は第1の半導体層253で吸収し、短波長光は真性半導体層255で吸収する。第1の半導体層253が単結晶であるため、少数担体の吸収が少なく変換効率が向上する。【効果】 変換効率が高く、しかも安価に製造可能である。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板の上面側に該基板と異なる材料で形成された第1導電型の第1の半導体膜と、該第1の半導体膜に接続される第1の電極と、前記第1の半導体膜の上面に形成された第2導電型の第2の半導体膜と、該第2の半導体膜側に接続される第2の電極とを備え、前記第1の半導体膜および第2の半導体膜は単結晶膜で構成されたことを特徴とする太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/20

FI (3件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 E

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜光起電力装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-264852   出願人：旭化成工業株式会社
• 特開昭64-051671
  
• 特開昭58-127386
  
• 特開昭62-128572