特許
J-GLOBAL ID:200903046420437884
磁気抵抗効果素子及び磁気ヘッド
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-047633
公開番号(公開出願番号):特開2006-237154
出願日: 2005年02月23日
公開日(公表日): 2006年09月07日
要約:
【課題】 電流を流してもノイズの増加が少なく、良好なS/N比を得ることのできる磁気抵抗効果素子、及びこの磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 磁化固定層21と非磁性層16と磁化自由層17とを少なくとも有する積層膜が形成され、この積層膜の膜面に略垂直な方向に電流が流され、磁化自由層17の近傍に、Pd,Pt,Nd,Sm,Tb,Dy,Hoから選ばれる一種以上を主成分とする導体層18が設けられた磁気抵抗効果素子10を構成する。また、この磁気抵抗効果素子10を備えた磁気ヘッドを構成する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
磁化の向きが固定された磁化固定層と、磁化の向きを変化させることが可能な磁化自由層と、前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性層とを少なくとも有する積層膜が形成され、
前記積層膜の膜面に略垂直な方向に電流が流される磁気抵抗効果素子であって、
前記磁化自由層の近傍に、導体層が設けられ、
前記導体層がPd,Pt,Nd,Sm,Tb,Dy,Hoから選ばれる一種以上を主成分とする
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件):
H01L 43/08
, G11B 5/39
, H01L 29/82
FI (3件):
H01L43/08 Z
, G11B5/39
, H01L29/82 Z
Fターム (3件):
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034CA04
引用特許:
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