光センサ回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥井清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-363443
公開番号（公開出願番号）：特開2003-134397
出願日： 2001年10月24日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【目的】画素として100%の受光面を実現するとともに寄生容量を小さくし、また低照度時のSN比を向上させて充分な感度が得られる【構成】光検知時の入射光量に応じたセンサ電流を生ずる光電変換素子と、その光電変換素子に流れるセンサ電流を弱反転状態で対数特性をもって電圧信号に変換する第1のトランジスタと、その変換された電圧信号を増幅する第2のトランジスタと、その増幅された電圧信号を出力させる第3のトランジスタとからなり、光検知に先がけて第1のトランジスタのドレイン電圧を定常よりも低い値に切り換えて光電変換素子の寄生容量の残留電荷を放電させて初期化するようにした光センサ回路にあって、光電変換素子を光導電膜によって形成する。

請求項（抜粋）：

光検知時の入射光量に応じたセンサ電流を生ずる光電変換素子と、その光電変換素子に流れるセンサ電流を弱反転状態で対数特性をもって電圧信号に変換する第1のトランジスタと、その変換された電圧信号を増幅する第2のトランジスタと、その増幅された電圧信号を出力させる第3のトランジスタとからなり、光検知に先がけて第1のトランジスタのドレイン電圧を定常よりも低い値に切り換えて光電変換素子の寄生容量の残留電荷を放電させて初期化するようにした光センサ回路であって、光電変換素子を光導電膜としたことを特徴とする光センサ回路。

IPC (3件)：

H04N 5/335 , H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (3件)：

H04N 5/335 E , H01L 27/14 A , H01L 31/10 G

Fターム (24件)：

4M118AA02 , 4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA15 , 4M118DD20 , 4M118FA06 , 4M118FA19 , 4M118FA42 , 5C024AX01 , 5C024CX41 , 5C024GX02 , 5C024GX16 , 5F049MB05 , 5F049NB03 , 5F049PA05 , 5F049RA02 , 5F049RA06 , 5F049SE04 , 5F049SE05 , 5F049SS03 , 5F049UA05 , 5F049UA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

光センサ回路およびこれを用いたイメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-250516 出願人：本田技研工業株式会社
光センサ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-174476 出願人：本田技研工業株式会社, シチズン時計株式会社

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