特許
J-GLOBAL ID:200903046431231358

液晶表示素子の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 八田 幹雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-244387
公開番号(公開出願番号):特開平10-115833
出願日: 1997年09月09日
公開日(公表日): 1998年05月06日
要約:
【要約】【課題】 工程が単純化した液晶表示素子の製造方法を提供する。【解決手段】 液晶注入工程において、減圧状態、即ち大気圧(1気圧)より低い約20torr程度の減圧状態のチャンバで、上部と下部の基板2,2 ́中いずれか1枚に液晶7を滴下し、両基板2,2 ́を重ね合せた後、前記基板2,2 ́を加熱し熱処理してシ-ル剤5を硬化させる。これによって、製造工数が減り、液晶注入のためにチャンバ内を高真空状態に設定しなくても良いので全体工程時間が縮まる。この結果、製造コストが低くなる。
請求項(抜粋):
(a)表面に電極の形成されている上部及び下部の基板上に配向膜を形成する工程と、(b)前記配向膜の表面をラビング処理する工程と、(c)前記上部及び下部の基板を結合させる後工程で前記上部及び下部基板間の間隔を一定に保たせるために、前記基板中のいずれか1つにスペ-サを拡散する工程と、(d)前記基板中のいずれか1つにシ-ル剤を印刷する工程と、(e)大気圧より低い減圧状態のチャンバ内で、前記上部及び下部の基板を結合させ、両基板の間に形成されたセルギャップに液晶を注入する工程と、(f)前記減圧状態を解除して前記チャンバの内部を大気圧の状態に還元する工程とを具備することを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
IPC (4件):
G02F 1/1341 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/1339 505
FI (4件):
G02F 1/1341 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/1339 505
引用特許:
審査官引用 (8件)
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