特許
J-GLOBAL ID：200903046431970088

フォトレジストマスクを使用してエッチングするための改良技術

発明者：
ヘイゼルデン・バーバラ

ヘイゼルデン・バーバラ について

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リー・ジョン

リー・ジョン について

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アリマ・チャウ

アリマ・チャウ について

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チウ・エディー

チウ・エディー について


出願人/特許権者：
ラム リサーチ コーポレーション

ラム リサーチ コーポレーション について


代理人 (1件)： 五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-525911
公開番号（公開出願番号）：特表2001-527287
出願日： 1998年12月11日
公開日（公表日）： 2001年12月25日
要約：
【要約】【課題】 シリコン基板上に配置されている窒化物層の、エッチング中におけるプロフィル制御を改良するための方法を開示する。【解決手段】 窒化物層は、フォトレジストマスクの下側に配置される。この方法は、窒化物層およびフォトレジストマスクを有する基板をプラズマ処理チャンバ内に配置する工程を備える。この方法はまた、塩素含有エッチャントソースガスをプラズマ処理チャンバ内に流す工程を備える。この方法はさらに、塩素含有エッチャントソースガスからプラズマを発生させ、プラズマ処理チャンバ内に塩素ベースのプラズマを形成する工程を備える。この方法はさらにまた、塩素ベースのプラズマを使用し、プラズマ処理チャンバ内でフォトレジストマスクを処理する工程を備える。このフォトレジストの処理は、フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングし、窒化物層をエッチングすることなくフォトレジストマスクの垂直な側壁上にパッシベーションポリマを堆積させるように構成される。
請求項（抜粋）：
フォトレジスト下層をエッチングするための方法であって、 フォトレジスト下層と、前記フォトレジスト下層を覆うフォトレジストマスクとをその上に有する基板を提供し、 塩素ベースのプラズマを使用して、プラズマ処理チャンバ内で前記フォトレジストマスクを処理し、前記処理は、前記フォトレジストマスクの少なくとも一部分をエッチングし、前記フォトレジストマスクの垂直な側壁上にパッシベーションポリマを堆積させるように構成され、 前記処理後、前記フォトレジストマスクを使用する後続のエッチング工程において、前記フォトレジスト下層をエッチングする方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027
FI (3件)：
G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 570
Fターム (27件)：
2H096AA00 ,  2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F004BA04 ,  5F004BA05 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB07 ,  5F004EA22 ,  5F004EA23 ,  5F046NA19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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