特許
J-GLOBAL ID:200903046445486324
放射性同位元素製造用ターゲット
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-324197
公開番号(公開出願番号):特開2006-133138
出願日: 2004年11月08日
公開日(公表日): 2006年05月25日
要約:
【課題】 加速粒子によるターゲットのスパッタを抑え、かつターゲット物質を効率よく冷却して、放射性同位元素の製造効率を高めることができる放射性同位元素製造用ターゲットを提供する。【解決手段】 ターゲット3は、ターゲット物質としてのターゲット水を収容する収容部34を有するターゲット本体31と、収容部34の表面を被覆するターゲット被膜32とを備える。ターゲット被膜32の加速粒子によるスパッタ率は、ターゲット本体31の加速粒子によるスパッタ率よりも小さい。またターゲット本体31の熱伝導率は、ターゲット被膜32の熱伝導率よりも大きい。【選択図】 図5
請求項(抜粋):
ターゲット物質と加速粒子との核反応により放射性同位元素を製造するためのターゲットであって、
前記ターゲット物質を収容する収容部を有するターゲット本体と、
前記収容部の表面を被覆するターゲット被膜と、
を備え、
前記ターゲット被膜の前記加速粒子によるスパッタ率は、前記ターゲット本体の前記加速粒子によるスパッタ率よりも小さく、前記ターゲット本体の熱伝導率は、前記ターゲット被膜の熱伝導率よりも大きい、ことを特徴とするターゲット。
IPC (3件):
G21G 1/10
, G21K 5/08
, H05H 6/00
FI (3件):
G21G1/10
, G21K5/08 R
, H05H6/00
Fターム (4件):
2G085AA11
, 2G085BA17
, 2G085EA01
, 2G085EA07
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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