特許

J-GLOBAL ID：200903046465677061

半導体記憶装置

発明者： 堀田 泰裕
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-035294
公開番号（公開出願番号）：特開平9-231762
出願日： 1996年02月22日
公開日（公表日）： 1997年09月05日
要約：

【要約】【課題】 チップ面積を低減でき、かつ消費電力を低減できることは勿論のこと、更なる高速読み出しが可能になる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 データ線D0〜D7に対応して配設された2つのセンスアンプS0,S1と、データ線D0〜D7のうちいずれか2つのデータ線のみを選択的に2つのセンスアンプS0,S1にそれぞれ接続するスイッチ回路4を備え、一方のセンスアンプに接続されたデータ線を介してメモリセル2のデータを増幅して出力バッファ5に転送しつつ、これと並行して他方のセンスアンプに接続されたデータ線を介して次順のメモリセルのデータを増幅して確定し、一方のデータの出力バッファ5への転送後に、次のデータを出力バッファ5に転送する。

請求項（抜粋）：

マトリクス状に配設された複数のメモリセルに対して、一の行選択線と一の列選択線とを指定すると、同時に複数のデータ線に繋がる複数のメモリセルが選択され、かつ同時に選択された該複数のデータ線のそれぞれに接続される複数の負荷回路を有する半導体記憶装置において、該複数のデータ線に対応して配設された2つのセンスアンプ回路と、該複数のデータ線のうちいずれか2つのデータ線のみを選択的に該2つのセンスアンプ回路にそれぞれ接続するスイッチ回路とを備えていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/41 ,  G11C 16/06

FI (2件)：

G11C 11/34 301 D ,  G11C 17/00 520 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-161859   出願人：シヤープ株式会社
• 特開平4-162286