特許

J-GLOBAL ID：200903046501172842

低誘電率非晶質フッ素化炭素皮膜およびその製法

発明者： アルフレッド・グリル ,  ヴィシュヌバーイ・ヴィッタルバーイ・パテル
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-022701
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246264
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 フッ素化環式炭化水素前駆物質から、電子装置に誘電絶縁層として使用する非晶質フッ素化炭素皮膜を形成する。【解決手段】 この前駆物質は、ヘキサフルオロベンゼン、1,2-ジエチニルテトラフルオロベンゼン、および1,4-ビス(トリフルオロメチル)ベンゼンからなるグループから選択することができる。皮膜は、イオン・ビームを使用する付着技術、レーザを使用する付着技術、およびプラズマを使用する化学的気相付着技術などの、放射またはビームを使用する付着技術により付着させる。この皮膜は400°Cまでの非酸化雰囲気中では熱に対して安定であり、誘電率が3.0より小さい。【効果】 この皮膜は、相互接続構造中の導体を分離するための絶縁体として使用するのに適する。

請求項（抜粋）：

フッ素化環式炭化水素前駆物質から形成された非晶質フッ素化炭素皮膜。

IPC (8件)：

H01L 21/314 ,  C01B 31/00 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/50 ,  H01B 3/00 ,  H01L 21/768 ,  C07C 22/08 ,  C07C 25/13

FI (8件)：

H01L 21/314 A ,  C01B 31/00 ,  C23C 14/06 G ,  C23C 16/50 ,  H01B 3/00 F ,  C07C 22/08 ,  C07C 25/13 ,  H01L 21/90 V

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フッ化炭素組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-229056   出願人：ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ