特許

J-GLOBAL ID：200903046502458359

化学増幅型のレジスト組成物

発明者： 崔 相 俊 ,  朴 春 根 ,  高 永 範
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-094644
公開番号（公開出願番号）：特開平10-130340
出願日： 1997年03月28日
公開日（公表日）： 1998年05月19日
要約：

【要約】【課題】 フォトリソグラフィ工程に用いられる化学増幅型のレジスト組成物を提供する。【解決手段】 化学増幅型のレジストに用いられる次式で表されるターポリマーを提供する:【化1】ここで、R1 及びR2 は水素原子、ヒドロキシル又はカルボキシル基を有するC0 〜C10の脂肪族炭化水素であり、R3 は水素原子又はメチル、R4 はt-ブチル又はテトラヒドロピラニルであり、m及びnは整数であり、n/(m+n)は0.1〜0.5である。前記組成物の重量平均分子量は3,000〜100,000であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

化学増幅型のレジストに用いられる次式で表されるコポリマー:【化1】ここで、R1 及びR2 はそれぞれ水素原子、ヒドロキシル又はカルボキシル基を有するC0 〜C10の脂肪族炭化水素であり、nは整数である。

IPC (8件)：

C08F232/08 ,  C08F220/12 ,  C08F220/28 ,  C08F222/06 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  C08G 61/08

FI (8件)：

C08F232/08 ,  C08F220/12 ,  C08F220/28 ,  C08F222/06 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601 ,  C08G 61/08 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-063810
  
• デバイス製造のためのパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-049956   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
• 化学増幅型レジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-279070   出願人：三星電子株式会社