特許

J-GLOBAL ID：200903046503178686

表面実装型の半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 長谷川 泰男 ,  岩上 準
出願人/特許権者： オリジン電気株式会社
代理人 (1件)： 川久保 新一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-064599
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251486
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 表面実装型の半導体装置において、充分に放熱することができる表面実装型の半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】 表面実装型の半導体装置において、透孔を具備する電気絶縁基板と、上記透孔の一方の側の開口を覆うように、上記電気絶縁基板の表面に設けられている金属電極と、上記透孔内に配置されしかも上記金属電極にハンダ付けされている半導体素子とを有する半導体装置である。

請求項（抜粋）：

表面実装型の半導体装置において、透孔を具備する電気絶縁基板と;上記透孔の一方の側の開口を覆うように、上記電気絶縁基板の表面に設けられている金属電極と;上記透孔内に配置されしかも上記金属電極に接着されている半導体素子と;を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/48

FI (2件)：

H01L 23/12 S ,  H01L 23/48 F

引用特許：

審査官引用 (1件)

• セラミックパッケージ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-117348   出願人：新光電気工業株式会社