光照射による除電方法及びこれを用いた処理装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079086
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354621
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】基板や試料の観察、検査、加工、分析する前または後で、該基板や試料の蓄積電荷を効果的に除去できるようにする。【解決手段】基板や試料としての半導体ウェハ8の観察、検査、加工、分析を行う電子ビーム装置の予備室14側に光源7が設けられており、また、半導体ウェハ8を静電チャック方式で保持する保持ステージ9には、この保持される半導体ウェハ8に接触するようにして接地部材10a、10bが設けられている。観察や検査、加工、分析の後にこの静電チャックを解除した後、半導体ウェハ8の表面と接地部材10a、10bとに光源7から光6を照射する。これにより、半導体ウェハ8の表面は導電化し、この半導体ウェハ8の蓄積電荷はその表面から接地部材10a、10bを介して取り除かれる。

請求項（抜粋）：

表面の少なくとも一部に絶縁物が露出している試料の表面を除電する方法であって、前記試料を保持台上に保持して荷電粒子ビーム又はプラズマを用いて処理する前または処理した後に、前記試料の前記表面に露出している絶縁物と接地されている部分とを含む領域に前記絶縁物中の電子を励起する光を照射することを特徴とする光照射による除電方法。

IPC (4件)：

H01L 21/68 , H01J 37/20 , H01L 21/304 646 , H02N 13/00

FI (4件)：

H01L 21/68 R , H01J 37/20 H , H01L 21/304 646 , H02N 13/00 D

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平1-119668
特開昭60-089739
特開平1-119668

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