半導体素子の電流検出装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187979
公開番号（公開出願番号）：特開平8-054427
出願日： 1994年08月10日
公開日（公表日）： 1996年02月27日
要約：

【要約】【目的】絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) などの半導体素子10に流れる電流をその使用中に温度が変動した際にもそれによる温度誤差なく正確に検出できるようにする。【構成】半導体素子10の主電流の一部を検出抵抗20に流してその両端電圧を検出電圧Vdとして取り出し、電流供給手段30により検出電圧Vrがもつ温度係数に正負の符号と大きさを合致させた温度係数をもつ電流Isを発生して別の抵抗40に与えて電圧降下を参照電圧Vrとして取り出し、コンパレータ50等の手段を用いて検出電圧Vdと参照電圧Vrの差をとることによって検出電圧Vdがもつ温度依存性を補償しながら半導体素子10の電流を正確に検出する。

請求項（抜粋）：

半導体素子に接続されてその主電流の一部を受ける検出抵抗の両端電圧を検出電圧として取り出し、電流供給手段から温度依存性をもつ電流を抵抗に供給してその電圧降下を参照電圧として取り出し、検出電圧と参照電圧の差から検出電圧がもつ温度依存性を補償した半導体素子の電流を検出するようにしたことを特徴とする半導体素子の電流検出装置。

IPC (5件)：

G01R 19/165 , G01R 19/32 , H01L 21/66 , H03K 17/08 , H03K 17/60

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-087817
特開平3-142838
基準回路及び出力電流の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-026110 出願人：サムスング・セミコンダクター・インコーポレイテッド

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