特許

J-GLOBAL ID：200903046527449273

基板洗浄液

発明者： 東野 誠司 ,  大谷 俊明 ,  小林 政一
出願人/特許権者： 株式会社トクヤマ ,  AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社
代理人 (3件)： 星野 哲郎 ,  山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-014395
公開番号（公開出願番号）：特開2007-200944
出願日： 2006年01月23日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】アッシング残渣およびエッチング残渣を除去することができ、また、アッシング処理をしない状態のレジストを除去することができ、さらには、リワークにおけるエッチング処理前のレジストをも除去することができる基板洗浄液であって、同一の洗浄液によって、長時間にわたって複数の基板を洗浄でき、また、水リンス工程において洗浄液中に溶解したレジストが基板上に析出することがない、基板洗浄液を提供する。【解決手段】基板洗浄液を、フッ化物塩、有機溶剤、水、25°CにおけるpKaが4〜10の水溶性カルボン酸、25°CにおけるpKaが7〜10のアミン、を含有するものとし、水溶性カルボン酸のアミンに対するモル比を、0.5以上、1.0未満とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

フッ化物塩、有機溶剤、水、25°CにおけるpKaが4〜10の水溶性カルボン酸、25°CにおけるpKaが7〜10のアミン、を含有する基板洗浄液であって、 前記水溶性カルボン酸の前記アミンに対するモル比が、0.5以上、1.0未満である基板洗浄液。

IPC (13件)：

H01L 21/304 ,  C11D 7/10 ,  C11D 7/50 ,  C11D 7/26 ,  C11D 17/08 ,  C11D 1/72 ,  C11D 3/04 ,  C11D 3/43 ,  C11D 3/20 ,  C11D 1/70 ,  C11D 1/722 ,  C11D 7/32 ,  C11D 3/30

FI (15件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647B ,  H01L21/304 647Z ,  C11D7/10 ,  C11D7/50 ,  C11D7/26 ,  C11D17/08 ,  C11D1/72 ,  C11D3/04 ,  C11D3/43 ,  C11D3/20 ,  C11D1/70 ,  C11D1/722 ,  C11D7/32 ,  C11D3/30

Fターム (9件)：

4H003AC08 ,  4H003AC11 ,  4H003AC23 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA05 ,  4H003EB07 ,  4H003ED02 ,  4H003FA28

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第3236220号公報
  
• 特許第3255551号公報
  
• 特許第3074634号公報
  

審査官引用 (2件)

• 半導体基板洗浄のためのPH緩衝組成物
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2003-580947   出願人：アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
• 洗浄液及びその利用
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-030380   出願人：日本ゼオン株式会社