特許

J-GLOBAL ID：200903067969569798

半導体基板洗浄のためのPH緩衝組成物

発明者： セイジョー,マ.ファティーマ ,  ウォゼツァック,ウイリアム,エー. ,  ベルナルド,デービッド ,  バウム,トーマス,エイチ. ,  ミンセック,デービッド
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-580947
公開番号（公開出願番号）：特表2005-522027
出願日： 2003年03月18日
公開日（公表日）： 2005年07月21日
要約：

半導体デバイスのドライエッチング処理中に形成された半導体ウエハー基板から粒子を除去するために有用な半水溶性洗浄調合物であって、該洗浄調合物は緩衝系、極性有機溶剤とフッ素源とを含む。

請求項（抜粋）：

緩衝系を含む、半導体デバイスのための半水溶性洗浄調合物。

IPC (7件)：

H01L21/304 ,  C11D7/22 ,  G03F7/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768

FI (10件)：

H01L21/304 647A ,  H01L21/304 647Z ,  C11D7/22 ,  G03F7/42 ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 L ,  H01L21/308 G ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C ,  H01L21/88 D

Fターム (42件)：

2H096AA25 ,  2H096HA23 ,  2H096LA01 ,  2H096LA03 ,  2H096LA07 ,  4H003DA15 ,  4H003EA05 ,  4H003EA18 ,  4H003EB07 ,  4H003EB08 ,  4H003EB13 ,  4H003EB14 ,  4H003EB16 ,  4H003EB19 ,  4H003EB20 ,  4H003EB21 ,  4H003EB41 ,  4H003ED02 ,  4H003ED29 ,  4H003ED31 ,  4H003FA15 ,  4H003FA28 ,  4H003FA29 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104DD08 ,  4M104DD16 ,  4M104DD22 ,  4M104DD65 ,  4M104DD77 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033WW04 ,  5F043BB27

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-236082   出願人：株式会社カイジョー
• 剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-223002   出願人：花王株式会社
• 洗浄剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-181801   出願人：花王株式会社
• レジスト用剥離液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179872   出願人：東京応化工業株式会社

審査官引用 (4件)

• 基板処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-236082   出願人：株式会社カイジョー
• 剥離剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-223002   出願人：花王株式会社
• 洗浄剤組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-181801   出願人：花王株式会社
• レジスト用剥離液組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-179872   出願人：東京応化工業株式会社