特許

J-GLOBAL ID：200903046540054911

窒化物系半導体基板およびその製造方法

発明者： 大島 祐一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-319630
公開番号（公開出願番号）：特開2007-126320
出願日： 2005年11月02日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：

【課題】光の吸収係数が小さく高い透明度を有すると共に、充分な導電性を確保することができる窒化物系半導体基板、およびその製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板上11にGaN膜12及びTi膜13を形成後、水素ガスとアンモニアガスとの混合雰囲気で加熱して、多孔質TiN薄膜14に変換後、多孔質TiN薄膜14上にファセット成長GaN15を形成し、c面以外のファセット面を形成しながら成長する成長初期段階のGaN層の厚さが最終的に成長させたGaN層の全厚の30%以下となるように、GaN結晶を成長させてGaN厚膜17とし、ボイド16を介してサファイア基板11から剥離して、GaN自立基板とする。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

直径25mm以上、かつ厚さ250μm以上の寸法を有する窒化物系半導体からなる基板であって、波長380nm以上の光に対する吸収係数が7cm-1未満であることを特徴とする窒化物系半導体基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C23C16/34 ,  H01L33/00 C

Fターム (43件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB02 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077AB09 ,  4G077BE15 ,  4G077DB04 ,  4G077DB11 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077EB06 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB01 ,  4G077TC01 ,  4G077TC02 ,  4G077TC08 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TH01 ,  4G077TK11 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA05 ,  4K030FA10 ,  4K030GA03 ,  4K030JA09 ,  4K030JA11 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平4-297023号公報
  
• GaN単結晶基板及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-171276   出願人：住友電気工業株式会社
• GaN単結晶基板およびその製造方法ならびに発光デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-020078   出願人：住友電気工業株式会社
• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-120045   出願人：古河機械金属株式会社

審査官引用 (1件)

• 気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-120045   出願人：古河機械金属株式会社