特許
J-GLOBAL ID：200903071928167801

GaN単結晶基板およびその製造方法ならびに発光デバイス

発明者：
松岡 徹

松岡 徹 について

, 
元木 健作

元木 健作 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-020078
公開番号（公開出願番号）：特開2005-213075
出願日： 2004年01月28日
公開日（公表日）： 2005年08月11日
要約：
【課題】 光の吸収係数の小さいGaN単結晶基板およびその製造方法ならびに光出力の大きい発光デバイスを提供する。【解決手段】 直径が20mm以上、かつ厚さが70μm〜450μmであるGaN単結晶基板であって、GaN単結晶基板の375nm〜500nmの波長を有する光の吸収係数αが7cm-1〜68cm-1であることを特徴とするGaN単結晶基板。ここで、GaN単結晶基板のキャリア濃度は、5×1017cm-3〜2×1019cm-3であることが好ましい。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
直径が20mm以上、かつ厚さが70μm〜450μmであるGaN単結晶基板であって、 前記GaN単結晶基板の375nm〜500nmの波長領域にある光の吸収係数αが7cm-1〜68cm-1であることを特徴とするGaN単結晶基板。
IPC (4件)：
C30B29/38 ,  C30B25/04 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (4件)：
C30B29/38 D ,  C30B25/04 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (45件)：
4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077AB04 ,  4G077DB04 ,  4G077EB01 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB02 ,  4G077TC14 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4G077TK11 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA54 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AC15 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AE25 ,  5F045AF04 ,  5F045AF12 ,  5F045AF20 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA62 ,  5F045GH10 ,  5F045HA14
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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