特許

J-GLOBAL ID：200903046555932516

薄膜半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平 ,  浜谷 敏次 ,  深田 武
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-082012
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246564
出願日： 1996年03月10日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【目的】 同一基板上にポリシリコンとアモルファスシリコンを用いた薄膜半導体装置を作製する方法とその構成を提供する。【構成】 絶縁表面を有する基板上にポリシリコンTFTとアモルファスシリコンTFTを同時に作製するために、ボトムゲート型の逆スタガー構造として、活性層を100乃至300Åとしてレーザまたはランプアニールによって部分結晶化を行うことで、ポリシリコンTFTの領域とアモルファスシリコンTFTの領域を同一基板上に形成することを特徴とする薄膜半導体装置およびその作製方法。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基板上に、ゲート電極が形成され該ゲート電極の上部にゲート絶縁膜が形成され、該ゲート絶縁膜上にチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域を有する薄膜半導体が形成されている薄膜半導体装置において、前記ゲート電極は、基板に接する面と該ゲート絶縁膜に接する面の面積において基板に接する面の面積の方が広く、且つ前記基板上には複数の薄膜半導体装置が形成され、該複数の薄膜半導体装置は、薄膜半導体が多結晶で形成され、該薄膜半導体の中のチャネル領域の上部は絶縁膜で覆われ且つソース領域およびドレイン領域は、3価あるいは5価の不純物がドーピングされた不純物半導体膜で覆われ、該不純物半導体の上に導電膜が形成され、該不純物半導体と導電膜はチャネル領域上部の絶縁膜上まで延びており且つ平面形状が同一であるる薄膜半導体装置と、薄膜半導体が非晶質で形成され、該薄膜半導体の中のチャネル領域の上部は絶縁膜で覆われ且つソース領域およびドレイン領域は、3価あるいは5価の不純物がドーピングされた不純物半導体膜で覆われ、該不純物半導体の上に導電膜が形成され、該不純物半導体と導電膜はチャネル領域上部の絶縁膜上まで延びており且つ平面形状が同一である薄膜半導体装置と、を含むことを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 616 T ,  H01L 29/78 617 W ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-179502   出願人：株式会社東芝
• 特開平4-326769
  
• 特表平4-505832