半導体装置およびその作製方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-180950
公開番号（公開出願番号）：特開平8-023100
出願日： 1994年07月07日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【目的】特性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)およびTFTを有する半導体集積回路を提供する。【構成】アモルファス状態もしくは結晶性の半導体活性層の上方および下方にゲイト電極を配置した構造のTFT。TFTのソース/ドレインは、上方のゲイト電極をマスクとして不純物を注入し、さらに、シリサイド領域を設けることにより、ソース/ドレインのシート抵抗を低減せしめる。

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタにおいて、第1のゲイト電極と、その表面が陽極酸化物で被覆された第2のゲイト電極と、第1および第2のゲイト電極の間に存在する実質的に真性のチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に隣接した1対のN型もしくはP型の不純物領域と、前記不純物領域の外側に設けられた1対のシリサイド領域とを有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-072769
特開平4-072769
薄膜状半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-297650 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る