特許
J-GLOBAL ID：200903046609048820
半導体素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀬谷 徹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370972
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274290
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【目的】 素子分離膜を有するSOIウェーハを製造する工程において、シリコン基板の研磨時に発生されるわん状変形を防止するための方法を提供する。【構成】 第1及び第2シリコン基板を提供する段階;第1シリコン基板の予定された活性領域に不純物をイオン注入する段階;第1シリコン基板の活性領域の間をエッチングしてトレンチを形成する段階;トレンチが埋め込まれるように第1シリコン基板の全面上に第1絶縁膜を形成する段階;第1絶縁膜を第1シリコン基板が露出されるまでエッチバックしてトレンチ型素子分離膜を形成する段階;トレンチ型素子分離膜の形成された第1シリコン基板上に第2絶縁膜を形成する段階;第1シリコン基板と第2シリコン基板とを接合させる段階;第1シリコン基板を不純物のドーピングされている部分に近接させて1次研磨する段階;第1シリコン基板を不純物のドーピングされている領域が除去されるまでエッチング液(etchant)を用いてエッチングする段階;素子分離膜を研磨停止層にして第1シリコン基板を2次研磨してSOIウェーハを製造する段階を含んでなる。
請求項（抜粋）：
第1及び第2シリコン基板を提供する段階;前記第1シリコン基板の予定された活性領域に不純物をイオン注入する段階;前記第1シリコン基板の活性領域の間をエッチングしてトレンチを形成する段階;前記トレンチが埋め込まれるように前記第1シリコン基板の全面上に第1絶縁膜を形成する段階;前記第1絶縁膜を、前記第1シリコン基板が露出されるまでエッチバックしてトレンチ型素子分離膜を形成する段階;前記トレンチ型素子分離膜の形成された前記第1シリコン基板上に第2絶縁膜を形成する段階;前記第1シリコン基板上に形成された前記第2絶縁膜と前記第2シリコン基板とが接するように、前記第1シリコン基板と前記第2シリコン基板とを接合させる段階;前記第1シリコン基板を不純物がドーピングされている部分に近接させて1次研磨する段階;前記1次研磨した第1シリコン基板を不純物のドーピングされている領域が除去されるまでエッチング液(etchant)を用いてエッチングする段階;及び前記素子分離膜を研磨停止層にして、前記第1シリコン基板を2次研磨し、SOIウェーハを製造する段階を含んでなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
引用特許：
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