特許
J-GLOBAL ID：200903095604731000
貼り合わせSOI基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343618
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102540
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】 絶縁膜の凹部内の島状シリコン薄層を、凹部周辺の絶縁膜の上部絶縁膜と同一平面に、平坦で且つ研磨ダメージがないように研磨仕上を行うことができる貼り合わせSOI基板の製造方法を得ること。【構成】 本発明の貼り合わせSOI基板の製造方法は、貼り合わせ基板7の厚みむらのある素子形成基板1を研磨するに当たって、先ず、部分研磨加工で研磨し、上部絶縁膜3Bに達する直前で留め、次に、選択研磨加工を上部絶縁膜3Bまで施して、残余の素子形成基板1の薄層を研磨し、部分研磨加工で生じた厚みむら9Aをも同時に除去しようとする研磨方法である。
請求項（抜粋）：
素子形成基板の表面に上部絶縁膜と下部絶縁膜とからなる絶縁段差により複数の凹部パターンが形成され、そして該凹部内に素子形成領域が島状に残るように、前記凹部外に在る前記素子形成基板を加工する貼り合わせSOI基板の製造方法において、該製造方法は、前記上部絶縁膜に達する直前まで絶縁段差凹部外に在る前記素子形成基板のマクロな厚みむらを除去する第1の加工工程と、該第1の加工工程に続いて、前記上部絶縁膜をストッパーとして前記残余の素子形成基板のミクロな厚みむらを除去する第2の加工工程とからなる加工工程を経て面内厚みが均一な貼り合わせSOI基板を得ることを特徴とする貼り合わせSOI基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/762
, H01L 21/3065
, H01L 27/12
H01L 21/76 D
, H01L 27/12 B
, H01L 27/12 F
, H01L 21/302 L
