特許
J-GLOBAL ID：200903046609108156
巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人プロスペック特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-083241
公開番号（公開出願番号）：特開2006-266777
出願日： 2005年03月23日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】 巨大磁気抵抗効果素子を使用した磁気センサを小型化すること。【解決手段】 磁気センサは、第1巨大磁気抵抗効果素子20を備える。第1巨大磁気抵抗効果素子は、固定層P、スペーサ層S及びフリー層Fを備える。フリー層Fは、固定層との間にスペーサ層を挟むように形成された第1強磁性膜24と、交換結合膜23と、交換結合膜により第1強磁性膜と交換結合する第1強磁性膜より厚膜の第2強磁性膜22と、を含む。第1巨大磁気抵抗効果素子の抵抗値を決定する第1強磁性膜24の磁化の向きは、外部磁界により回転する第2強磁性膜22の磁化の向きと反平行である。従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第1巨大磁気抵抗効果素子20と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板11上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
磁化の向きが所定の向きに固定された固定層、
前記固定層に接するように形成された非磁性導電体からなるスペーサ層、及び
前記スペーサ層に接し前記固定層との間に同スペーサ層を挟むように形成された第1強磁性膜と、同第1強磁性膜に接するように形成された交換結合膜と、同交換結合膜に接し且つ同第1強磁性膜との間に同交換結合膜を挟むように形成されることにより同第1強磁性膜と交換結合するとともに同第1強磁性膜の膜厚より大きい膜厚を有することにより磁化の向きが外部磁界の向きに近づくように変化する第2強磁性膜と、を含むフリー層、
を有する第1巨大磁気抵抗効果素子、並びに、
磁化の向きが前記所定の向きに固定された固定層、
前記固定層に接するように形成された非磁性導電体からなるスペーサ層、及び
前記スペーサ層に接し前記固定層との間に同スペーサ層を挟むように形成されるとともに磁化の向きが外部磁界の向きに近づくように変化する強磁性膜を含むフリー層、
を有する第2巨大磁気抵抗効果素子、
を備えるとともに、
前記第1巨大磁気抵抗効果素子及び前記第2巨大磁気抵抗効果素子が単一の基板上に形成されてなる磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01R33/06 R
, H01L43/08 Z
