特許
J-GLOBAL ID：200903085078323028

磁気センサ、同磁気センサの製造方法及び同製造方法に適したマグネットアレイ

発明者：
大橋 俊幸

大橋 俊幸 について

, 
涌井 幸夫

涌井 幸夫 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (2件)： 大庭 咲夫 ,  加藤 慎治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-359790
公開番号（公開出願番号）：特開2004-163419
出願日： 2003年10月20日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：
【課題】 フリー層の磁区の磁化の向きを安定して維持し得る磁気抵抗効果素子を備えた磁気センサを提供すること。【解決手段】 この磁気センサは、ピンド層とフリー層とを含む幅狭帯状部11a...11aを備えた磁気抵抗効果素子を含んでいる。フリー層の両端部下方には、同フリー層に所定の向きのバイアス磁界を発生させる永久磁石からなるバイアス磁石膜11b...11bと、前記フリー層に近接して設けられ所定条件下での通電により前記バイアス磁界と同一の向きの磁界を同フリー層に加える初期化用コイル31とが形成されている。また、バイアス磁石膜の着磁とピンド層の磁化の向きの固定は、複数の永久磁石を正方格子の格子点に配設するとともに各永久磁石の磁極の極性が最短距離を隔てて隣接する他の磁極の極性と異なるように構成されたマグネットアレイによって形成される磁界によりなされる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
ピンド層とフリー層とを含む磁気抵抗効果素子を含んでなる磁気センサであって、前記フリー層の両端に配設されるとともに同フリー層に所定の向きのバイアス磁界を発生させる永久磁石からなるバイアス磁石膜と、前記フリー層に近接して設けられ所定条件下での通電により前記バイアス磁界と同一の向きの磁界を同フリー層に加える初期化用コイルとを備えた磁気センサ。
IPC (2件)：
G01R33/09 ,  H01L43/08
FI (3件)：
G01R33/06 R ,  H01L43/08 B ,  H01L43/08 Z
Fターム (4件)：
2G017AA01 ,  2G017AA10 ,  2G017AC09 ,  2G017AD55
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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