特許

J-GLOBAL ID：200903046620413335

半導体レーザ

発明者： 木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  熊渕 康仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-022275
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219558
出願日： 1996年02月08日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：

【要約】【課題】 安定な自励発振特性を有し信頼性の高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 n型GaAsからなる基板201と、活性層204と、活性層204を挟む一対のクラッド層を備えた半導体レーザである。さらに、活性層204に隣接したスペーサ層205と、可飽和吸収層206とを有している。可飽和吸収層206に隣接するスペーサ層およびp型クラッド層に高ドープすることにより、キャリア寿命を低減化し、安定した自励発振特性が得られ、その結果、広い温度範囲に渡り相対雑音強度の低い半導体レーザを実現できる。

請求項（抜粋）：

少なくとも活性層と、可飽和吸収層とを備え、前記可飽和吸収層の不純物濃度が、少なくとも5×1017(cm-3)以上であり、前記可飽和吸収層に隣接する少なくとも1つの層の前記可飽和吸収層側の不純物濃度が、5×1017(cm-3)より大きいことを特徴とする半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-038561   出願人：三洋電機株式会社