半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-121751
公開番号（公開出願番号）：特開2007-294715
出願日： 2006年04月26日
公開日（公表日）： 2007年11月08日
要約：

【課題】樹脂モールディングのマージンを増やしてその信頼性を高める。【解決手段】リードフレーム10を上金型と下金型とで挟み込み、連通ゲートを介して相互に繋がる複数のキャビティ内に連通ゲートを介して封止用樹脂を供給して、複数のキャビティにより複数の封止本体3を形成し、かつ連通ゲートによりゲートレジン3bを封止本体3と一体で形成する工程と、封止本体3の一部、ゲートレジン3bの一部及び複数のリード端子それぞれを切断する工程とを有する。その際、連通ゲートとキャビティの深さが同じ深さに形成された樹脂成形金型を用いることにより、封止本体3とゲートレジン3bを同じ高さに形成し、連通ゲートが高くなって連通ゲートの流路が広がるため、樹脂充填時の封止用樹脂の硬化促進を抑制することができ、封止用樹脂の硬化マージンを増やすことができる。【選択図】図21

請求項（抜粋）：

(a)チップ搭載部と、複数のリード端子と、前記複数のリード端子の外側に配置された枠部とを有するリードフレームを準備する工程と、 (b)前記チップ搭載部上に半導体チップを搭載する工程と、 (c)前記半導体チップと前記複数のリード端子とを導電性のワイヤで電気的に接続する工程と、 (d)前記リードフレームを樹脂成形金型の上金型と下金型とで挟み込み、前記上金型と下金型との間に形成され、かつ連通ゲートを介して相互に繋がる複数のキャビティ内に前記連通ゲートを介して封止用樹脂を供給して、前記複数のキャビティにより複数の第1封止体を形成し、かつ前記連通ゲートにより第2封止体を前記第1封止体と一体で形成する工程と、 (e)前記(d)工程の後、前記第1封止体の一部、前記第2封止体の一部及び前記複数のリード端子それぞれを切断して個片化する工程とを有し、前記連通ゲートと前記キャビティが同じ深さに形成された前記樹脂成形金型を用いて、前記(d)工程において前記第1封止体と前記第2封止体とを同じ高さに形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/56 , H01L 23/50 , B29C 45/14 , B29C 45/27

FI (4件)：

H01L21/56 T , H01L23/50 G , B29C45/14 , B29C45/27

Fターム (38件)：

4F202AD03 , 4F202AD08 , 4F202AD19 , 4F202AD27 , 4F202AH37 , 4F202CA12 , 4F202CB01 , 4F202CB17 , 4F202CK06 , 4F202CK25 , 4F202CK35 , 4F202CK84 , 4F202CK89 , 4F202CQ03 , 4F202CQ05 , 4F206AD03 , 4F206AD08 , 4F206AD19 , 4F206AD27 , 4F206AH37 , 4F206JA02 , 4F206JB17 , 4F206JQ06 , 4F206JQ81 , 4F206JW23 , 5F061AA01 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061CB13 , 5F061DA05 , 5F061DA06 , 5F061DD11 , 5F067AB04 , 5F067BA02 , 5F067BA08 , 5F067BA09 , 5F067DE02 , 5F067DE06

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-134969 出願人：株式会社ルネサステクノロジ, 株式会社ルネサス北日本セミコンダクタ

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