特許
J-GLOBAL ID：200903046659440089
電子デバイス用薄膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
宮▲崎▼主税
, 目次 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-118936
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277519
出願日： 2007年04月27日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】薄膜形成用組成物を用いた電子デバイス用薄膜の製造方法であって、薄膜形成に際しての塗布厚みのばらつきが生じ難く、よって均一な厚みの薄膜を高精度に形成することを可能とする電子デバイス用薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】薄膜形成用組成物を用いた電子デバイス用薄膜の製造方法であって、薄膜形成用組成物を基材2上に塗工し、薄膜形成用組成物層1を形成する工程と、薄膜形成用組成物層1を乾燥し、薄膜1Aを得る工程とを備え、薄膜形成用組成物として、表面張力が27mN/m以下であり、かつ基材2に対する接触角が20度以下である薄膜形成用組成物を用いる、電子デバイス用薄膜1Aの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
薄膜形成用組成物を用いた電子デバイス用薄膜の製造方法であって、
薄膜形成用組成物を基材上に塗工し、薄膜形成用組成物層を形成する工程と、
前記薄膜形成用組成物層を乾燥し、薄膜を得る工程とを備え、
前記薄膜形成用組成物として、表面張力が27mN/m以下であり、かつ前記基材に対する接触角が20度以下である薄膜形成用組成物を用いることを特徴とする、電子デバイス用薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/312
, H01L 21/768
H01L21/312 A
, H01L21/312 C
, H01L21/312 D
, H01L21/90 Q
5F033QQ74
, 5F033SS22
, 5F033WW00
, 5F033XX00
, 5F058AA10
, 5F058AC03
, 5F058AC07
, 5F058AF04
, 5F058AG01
, 5F058AH01
, 5F058AH02
, 5F058AH03
