量子サイズ効果を用いたスピン注入磁化反転磁気抵抗素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：今村健一 , 平木祐輔 , 渡辺敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-172473
公開番号（公開出願番号）：特開2005-011907
出願日： 2003年06月17日
公開日（公表日）： 2005年01月13日
要約：

【課題】スピン注入磁化反転の効率化と、これに伴う磁化反転に必要な電力を低減する。【解決手段】p+-GaAs層31とp-GaAs下部電極層33と(Ga,Mn)As固定層35とAlAs第2障壁層37と(In,Ga,Mn)As磁化反転層39とAlAs第1障壁層41と透明電極層45との積層構造を有する。(Ga,Mn)As固定層35の磁化方向は固定され、(In,Ga,Mn)As量子井戸層(磁化反転層)39はフリー層である。円偏光を照射しない場合、磁化反転層39の磁化方向は前回の状態を保持し積層方向の抵抗は低い状態となる。積層方向に右円偏光を照射すると磁化反転層の磁化の方向が変化し、円偏光を照射したことにより固定層35と磁化反転層39との磁化方向が異なり(反平行磁化)、円偏光の照射を停止しても反平行磁化状態を維持するため抵抗は低く不揮発にこの状態を記憶する。積層方向に再び円偏光を照射すると固定層35と磁化反転層39との磁化の向きが同じとなり抵抗が高い。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

キャリアを量子的に閉じ込め可能な量子磁性半導体構造であって、前記量子磁性半導体の価電子帯の重い正孔と軽い正孔状態の縮退を解いた半導体磁性領域を準備するステップと、該量子磁性半導体に対して楕円偏光を照射するステップとを有することを特徴とするスピン注入磁化制御方法。

IPC (5件)：

H01L43/08 , G01R15/22 , G01R33/09 , G11C13/06 , H01L27/105

FI (6件)：

H01L43/08 S , H01L43/08 Z , G11C13/06 Z , H01L27/10 447 , G01R33/06 R , G01R15/07 Z

Fターム (8件)：

2G017AA01 , 2G017AD55 , 2G017AD65 , 2G025AB11 , 2G025AC06 , 5F083FZ10 , 5F083HA06 , 5F083JA60

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-203052
強磁性スピントンネル効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-023256 出願人：株式会社豊田中央研究所
キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-203934 出願人：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー

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