半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：片山修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098033
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297854
出願日： 2002年03月29日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：

【要約】【課題】複雑な製造プロセスを必要とせず、機械的強度が強く、しかも電極間の寄生容量を低減することができる構造の半導体装置及びその製造方法を実現する。【解決手段】半導体基板(10)上に設けられたゲート電極(11)と、該ゲート電極を挟むように設けられたソース電極(12)及びドレイン電極(13)と、前記ゲート電極を覆う絶縁層(14)と、前記ソース電極から前記ゲート電極の上方を通過して前記ゲート電極とドレイン電極との間まで延びるソースウォール部(15)とを有し、該ソースウォール部の先端(15a)は前記ゲート電極の上面よりも低い位置にあるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられたゲート電極と、該ゲート電極を挟むように設けられたソース電極及びドレイン電極と、前記ゲート電極を覆う絶縁層と、前記ソース電極から前記ゲート電極の上方を通過して前記ゲート電極とドレイン電極との間まで延びるソースウォール部とを有し、該ソースウォール部の先端は前記ゲート電極の上面よりも低い位置にあることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/80 Q

Fターム (9件)：

5F102GJ05 , 5F102GT07 , 5F102GV00 , 5F102GV01 , 5F102GV05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC15 , 5F102HC30

引用特許：

出願人引用 (3件)

化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-245478 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-035536
特開平2-047840

審査官引用 (7件)

化合物半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-245478 出願人：松下電器産業株式会社
特開平3-035536
特開平3-035536

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